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等離子增強化學氣相沉積爐主要包含以下三個基本過程

更新更新時間:2020-11-05點擊次數:2494
  等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD)技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質發(fā)生化學反應,從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式。一般說來,采用PECVD技術制備薄膜材料時,薄膜的生長主要包含以下三個基本過程:
  首先,在非平衡等離子體中,電子與反應氣體發(fā)生初級反應,使得反應氣體發(fā)生分解,形成離子和活性基團的混合物;
  其二,各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運,同時發(fā)生各反應物之間的次級反應;
  后,到達生長表面的各種初級反應和次級反應產物被吸附并與表面發(fā)生反應,同時伴隨有氣相分子物的再放出。

  具體說來,基于放電方法的PECVD技術,能夠使得反應氣體在外界電磁場的激勵下實現電離形成等離子體。在放電的等離子體中,電子經外電場加速后,其動能通??蛇_10eV左右,甚至更高,足以破壞反應氣體分子的化學鍵,因此,通過高能電子和反應氣體分子的非彈性碰撞,就會使氣體分子電離(離化)或者使其分解,產生中性原子和分子生成物。正離子受到離子層加速電場的加速與上電極碰撞,放置襯底的下電極附近也存在有一較小的離子層電場,所以襯底也受到某種程度的離子轟擊。因而分解產生的中性物依擴散到達管壁和襯底。這些粒子和基團(這里把化學上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團)在漂移和擴散的過程中,由于平均自由程很短,所以都會發(fā)生離子-分子反應和基團-分子反應等過程。到達襯底并被吸附的化學活性物(主要是基團)的化學性質都很活潑,由它們之間的相互反應從而形成薄膜。

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